今日，三星宣布已开始量产基于极紫外光(EUV)技术的14纳米DRAM芯片。继去年3月推出首款EUV DRAM后，此次三星将使用EUV的层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。

DDR5是当前最新的计算机内存规格。2020年7月，JEDEC协会正式公布了DDR5标准。与DDR4相比，具有更高的性能和更低的功耗。三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度：高达7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。

随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，EUV技术变得越来越重要，因为它能提升图形准确性，从而使芯片具有更高性能，获得更大产量。通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，三星可以获得更高的单位容量，整体晶圆生产率提升了约20%。与上一代DRAM工艺相比，14纳米工艺还可降低近20%的功耗。

三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术主管Jooyoung Lee表示：“三星通过多层EUV技术，实现了更加微型化的14纳米工艺，而这是传统氟化氩(ArF)工艺无法做到的。在此基础上，三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。”

三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。